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嘉儀通霍爾效應測試儀:助力氧化鎵單晶產(chǎn)業(yè)突破

  • 分類: 品牌故事
  • 作者:管理員
  • 來源:本站
  • 發(fā)布時間:2025-03-26
  • 訪問量: 192

【概要描述】2025年3月5日,杭州鎵仁半導體有限公司宣布全球首顆8英寸氧化鎵單晶襯底成功問世,標志著中國半導體···

嘉儀通霍爾效應測試儀:助力氧化鎵單晶產(chǎn)業(yè)突破

【概要描述】2025年3月5日,杭州鎵仁半導體有限公司宣布全球首顆8英寸氧化鎵單晶襯底成功問世,標志著中國半導體···

  • 分類: 品牌故事
  • 作者:管理員
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  • 發(fā)布時間:2025-03-26
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202535日,杭州鎵仁半導體有限公司宣布全球首顆8英寸氧化鎵單晶襯底成功問世,標志著中國半導體產(chǎn)業(yè)在第四代材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)跨越式突破。作為鎵仁半導體的核心合作伙伴,?武漢嘉儀通科技有限公司?憑借自主研發(fā)的霍爾效應測試儀HET系列,為其氧化鎵單晶產(chǎn)品提供了第三方檢測支持,以高精度、多維度的電學性能數(shù)據(jù)驗證了材料的產(chǎn)業(yè)化潛力?。

8英寸氧化鎵單晶襯底 

針對8英寸氧化鎵單晶襯底的導電型與UID兩種晶體,武漢嘉儀通Jouleyacht霍爾效應測試儀通過范德堡法同步測定了電阻率、載流子濃度等關(guān)鍵參數(shù):

 

導電型晶體?:電阻率低至25mΩ·cm,載流子濃度達2.9×101? cm?1;

UID晶體?:電阻率高達664mΩ·cm,載流子濃度僅6.9×101? cm?1?。

為鎵仁半導體氧化鎵單晶襯底出具的檢測報告 

武漢嘉儀通(Jouleyacht)子公司光谷薄膜為鎵仁半導體氧化鎵單晶襯底出具的檢測報告

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氧化鎵作為超寬禁帶半導體,其電學性能的穩(wěn)定性直接影響器件可靠性。嘉儀通霍爾效應測試儀通過以下應用場景為產(chǎn)業(yè)升級提供支撐:

 

材料篩選?:鑒別N/P型導電類型,評估晶體缺陷與摻雜均勻性?;

工藝監(jiān)控?:實時反饋電阻率分布,指導單晶生長參數(shù)調(diào)整?;

器件設計?:提供遷移率與載流子濃度關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù),縮短芯片研發(fā)周期;

合作共贏:推動國產(chǎn)半導體生態(tài)建設?

鎵仁半導體8英寸氧化鎵單晶的突破 

鎵仁半導體8英寸氧化鎵單晶的突破,不僅刷新了全球技術(shù)紀錄,更驗證了國產(chǎn)檢測設備的國際競爭力。武漢嘉儀通Jouleyacht霍爾效應測試儀憑借在GaNSiC等寬禁帶材料領(lǐng)域的成熟經(jīng)驗,持續(xù)為氧化鎵第四代半導體產(chǎn)業(yè)化提供“中國方案”,助力構(gòu)建從材料、設備到芯片的完整產(chǎn)業(yè)鏈?。


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